氮化鋁陶瓷片

一、產(chǎn)品特點(diǎn)：

高精度            高密度

多樣性            多選擇性

高穩(wěn)定性          高可靠

二、應(yīng)用領(lǐng)域：

薄膜金屬化基板廣泛應(yīng)用于混合集成電路互連基板、微波器件、光電通信、傳感器、MCM等領(lǐng)域。包括光電器件基板、陶瓷載體、激光器載體、片式電容、片式功率分配器、傳感器、叉指電容和螺旋電感等。

薄膜產(chǎn)品的設(shè)計(jì)經(jīng)歷了從原先簡(jiǎn)單的具有單一功能到現(xiàn)在把多個(gè)分離元件集成到一個(gè)具有復(fù)雜功能的電路板的過(guò)程。三、產(chǎn)品描述：

我們具有大量可供選擇的標(biāo)準(zhǔn)和定制的陶瓷基片，可以提供各種類型、各種厚度的材料和薄膜產(chǎn)品的加工，為客戶提供各種定制服務(wù)，為客戶提供各種定制服務(wù)，同時(shí)可以給出薄膜電阻的設(shè)計(jì)方案。

四、技術(shù)指標(biāo)：

常用薄膜基板材料特性與一般應(yīng)用氮化鋁于1877年合成。至1980年代，因氮化鋁是一種陶瓷絕緣體(聚晶體物料為 70-210 W?m 1?K 1，而單晶體 可高達(dá) 275 W?m 1?K 1 )，使氮化鋁有較高的傳熱能力，至使氮化鋁被大量應(yīng)用于微電子學(xué)。與 不同的是氮化鋁 。氮化鋁用金屬處理，能取代礬土及 用于大量電子儀器。氮化鋁可通過(guò)氧化鋁和碳的還原作用或直接氮化金屬鋁來(lái)制備。氮化鋁是一種以共價(jià)鍵相連的物質(zhì)，它有六角晶體結(jié)構(gòu)，與 化鋅、纖維鋅礦同形。此結(jié)構(gòu)的空間組為P63mc。要以熱壓及焊接式才可制造出工業(yè)級(jí)的物料。物質(zhì)在惰性的高溫環(huán)境中非常穩(wěn)定。在空氣中，溫度高于700℃時(shí)，物質(zhì)表面會(huì)發(fā)生氧化作用。在室溫下，物質(zhì)表面仍能探測(cè)到5-10納米厚的氧化物薄膜。直至1370℃，氧化物薄膜仍可保護(hù)物質(zhì)。但當(dāng)溫度高于1370℃時(shí)，便會(huì)發(fā)生大量氧化作用。直至980℃，氮化鋁在氫氣及二氧化碳中仍相當(dāng)穩(wěn)定。礦物酸通過(guò)侵襲粒狀物質(zhì)的界限使它慢慢溶解，而強(qiáng)堿則通過(guò)侵襲粒狀氮化鋁使它溶解。物質(zhì)在水中會(huì)慢慢水解。氮化鋁可以抵抗大部分融解的鹽的侵襲，包括氯化物及冰晶石〔即六 鋁酸鈉〕。

應(yīng)用

有報(bào)告指現(xiàn)今大部分研究都在開發(fā)一種以半導(dǎo)體（氮化 或合金鋁氮化 ）為基礎(chǔ)且運(yùn)行於紫外線的發(fā)光二極管，而光的波長(zhǎng)為250納米。在2006年5月有報(bào)告指一個(gè)無(wú)效率的二極管可發(fā)出波長(zhǎng)為210納米的光波[1]。以真空紫外線反射率量出單一的氮化鋁晶體上有6.2eV的能隙。理論上，能隙允許一些波長(zhǎng)為大約200納米的波通過(guò)。但在商業(yè)上實(shí)行時(shí)，需克服不少困難。氮化鋁應(yīng)用於光電工程，包括在光學(xué)儲(chǔ)存介面及電子基質(zhì)作誘電層，在高的導(dǎo)熱性下作晶片載體，以及作 事用途。由于氮化鋁壓電效應(yīng)的特性，氮化鋁晶體的外延性伸展也用於表面聲學(xué)波的探測(cè)器。而探測(cè)器則會(huì)放置於矽晶圓上。只有非常少的地方能可靠地制造這些細(xì)的薄膜。